La DDR4 SDRAM, qui est connue sous la forme simplifiée DDR4 (à ne pas confondre avec la GDDR4), est destinée à être progressivement utilisée dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l'année 2014. La finalisation des spécifications a été annoncée en 2012, alors que la démocratisation au grand public n'était initialement attendue que vers 2015. Les modules de DDR4 sont disponibles à une fréquence d'utilisation de 1 600 MHz pour la DDR4-32001. Le 30 août 2013 Samsung annonce la production en masse de ses premières barrettes DDR42. Le terme anglais « DDR4 SDRAM » pour Double Data Rate 4th generation Synchronous Dynamic Random Access Memory, signifiant « mémoire, à accès direct, à double débit de données, de quatrième génération ». La DDR4 doit offrir des améliorations de performances tout en diminuant la consommation électrique. On passerait à des tensions comprises entre 1,2 et 1,5 V voire 1,05 V avec les versions basse consommation. En février 2009, Samsung a réalisé une chip DRAM sur 40 nm, cela peut être considéré comme une étape importante vers le processus de développement de DDR4 SDRAM. En janvier 2011, Samsung3 annonce la réalisation d'un module mémoire DDR4 d'une capacité de 2 Gio dont les puces sont gravées en 30 nm. Ce module a une bande passante maximale de 2,133 Gbit/s et fonctionne avec une tension de 1,2 V contre 1,5 V pour les modules DDR3. Cette baisse de tension couplée avec l'introduction de la technologie Pseudo open drain (POD) qui réduit de moitié le courant électrique nécessaire à la lecture et l'écriture des données, entraîne une réduction de 40 % de la consommation du module par rapport à un module DDR3 équivalent.